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　　在當今科技領域，等離子體工藝和薄膜沉積技術扮演著越來越重要的角色。而在這個領域，瑞典Ionautics的HiPSTER HiPIMS裝置無疑是行業(yè)的標桿，Ionautics成立于2010年，一直致力于電離物理氣相沉積領域的創(chuàng)新與研究。近期，Ionautics發(fā)布了新產(chǎn)品HiPSTER 20脈沖發(fā)生器，這款專為工業(yè)用途和研發(fā)部門打造的20 kW高功率HiPIMS解決方案，體現(xiàn)了Ionautics在等離子體工藝和薄膜沉積技術領域的領先地位。

　　HiPIMS技術

　　HiPIMS是一種先進的薄膜沉積技術，通過使用標準磁控管的脈沖等離子體放電來電離材料通量。其獨特的優(yōu)點在于，離子可以通過電場和磁場的共同作用進行引導和操縱，從而在薄膜沉積過程中獲得卓越的性能。與傳統(tǒng)的薄膜沉積技術相比，HiPIMS能夠更精確地控制薄膜的厚度、均勻性和附著性等關鍵參數(shù)，從而顯著提高產(chǎn)品的性能和穩(wěn)定性。

　　Ionautics的HiPSTER裝置在HiPIMS技術的基礎上，進一步引入了創(chuàng)新的快速開關技術和擴展的HiPIMS脈沖控制技術。通過精確的脈沖時序和幅度控制，實現(xiàn)了對等離子體工藝的高效調控。這種控制技術使得研究人員能夠更好地掌握等離子體工藝的各個參數(shù)，從而更好地優(yōu)化工藝條件，提高產(chǎn)品的性能和穩(wěn)定性。

　　關于HiPSTER 20脈沖發(fā)生器

　　Ionautics的新產(chǎn)品HiPSTER 20脈沖發(fā)生器針對工業(yè)用途和研發(fā)部門的需求，專門設計成一款20 kW的高功率HiPIMS解決方案。它充分利用了HiPIMS技術的優(yōu)勢，HiPSTER 20脈沖發(fā)生器磁控管尺寸可達 1700 cm2，能夠在處理大面積工藝時展現(xiàn)出顯著的優(yōu)勢，并提供卓越的性能和效率。

　　HiPSTER 20脈沖發(fā)生器特點：

　　恒定電壓，沒有不必要的震蕩

　　可通過主從配置進行控制——多個電源。

　　新的開關技術允許HiPIMS脈沖頻率高達 10 kHz

　　添加 lonautics 的疊加技術HIPIMS + DC

　　可按要求實施反應式 HiPIMS 過程控制

　　在平面和可旋轉磁控管上進行工業(yè)應用測試

　　放電脈沖電壓和電流的實時信息

　　HiPSTER 20脈沖發(fā)生器應用

　　硬質涂層

　　更光滑、更致密的元素 以及反應沉積復合涂層、可提高硬度、減少 腐蝕，減少摩擦

　　光學涂層

　　提高光學性能，通過光滑的界面和致密的結構提高光學性能

　　阻隔涂層

　　通過增加涂層密度

　　電氣涂層

　　提高導電性，從而減少涂層厚度，降低熱負荷。對于絕緣體，還可提高隔離度隔熱性能。

　　3-D 涂層

　　在形狀復雜的形狀的基材上

　　HiPSTER 20脈沖發(fā)生器輸出規(guī)格

　　輸出平均功率：≤20千瓦

　　輸出峰值電壓: ≤1000V

　　輸出峰值電流: ≤2000A

　　調節(jié)模式：電壓、電流、功率、脈沖電流、脈沖充電

　　脈沖頻率: 50 至 10000 赫茲

　　脈沖持續(xù)時間:3.5us至1000us

　　電弧控制-反應時間: 2us

　　觸發(fā)輸入/輸出: TTL兼容

　　HiPSTER 20脈沖發(fā)生器輸入規(guī)格

　　交流輸入電壓: 1相+ N,100-240 VAC,50/60 Hz

　　230V 時的輸入電流: 0.7安直流充電輸入: 最大1000 V，浮動

　　HiPSTER 20脈沖發(fā)生器環(huán)境指標

　　工作溫度: +5°C 至 +40°C

　　儲存溫度: -25°C 至 +55°C

　　相對濕度: 最大 85%，非冷凝

　　氣壓:  80 kPa 至 106 kPa

　　冷卻方式: 風冷

　　污染等級:  2級。冷卻空氣必須正常,不含腐蝕性蒸氣并且導電顆粒。

　　規(guī)格: CE 認證

　　瑞典Ionautics HiPSTER HiPIMS裝置以其創(chuàng)新的科技和卓越的性能引領了等離子體工藝的新篇章。HiPSTER 20脈沖發(fā)生器以其高效、可靠、大尺寸的特點，成為適用于工業(yè)用途和研發(fā)部門20 kW HiPIMS解決方案的理想選擇。無論是在科研領域還是在工業(yè)生產(chǎn)中，Ionautics以領先的電離物理氣相沉積技術，為您提供先進的工具和專業(yè)知識。